參數(shù)資料
型號： BUJ103AD
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ103AD<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 7/13頁
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代理商： BUJ103AD
BUJ103AD
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 8 November 2011
7 of 13
NXP Semiconductors
BUJ103AD
Silicon diffused power transistor
7. Package information
Epoxy meets requirements of UL94 V-0 at
1
8
inch.
V
CEclamp
1000 V; V
CC
= 150 V; V
BB
=
5 V; L
B
= 1
H;
L
C
= 200
H.
Fig 13. Test circuit for reverse bias safe operating
area
T
j
T
j(max)
.
Fig 14. Reverse bias safe operating area
T
mb
25
C; Mounted with heatsink compound and 30
5 Newton force on the center of the envelope.
(1) P
tot
maximum and P
tot
peak maximum lines.
(2) Second breakdown limits.
(3) I = Region of permissible DC operation.
II = Extension for repetitive pulse operation.
III = Extension during turn-on in single transistor converters provided that R
BE
100
and t
p
0.6
s.
Fig 15. Forward bias safe operating area
001aab999
DUT
L
C
L
B
I
Bon
V
BB
V
CC
V
CL(CE)
probe point
V
CEclamp
(V)
0
1000
800
400
600
200
001aac000
4
6
2
8
10
I
C
(A)
0
001aac001
10
1
10
2
10
1
10
2
I
C
(A)
10
3
V
CEclamp
(V)
1
10
3
10
2
10
(1)
100
μ
s
200
μ
s
500
μ
s
DC
I
(3)
t
p
= 20
μ
s
duty cycle = 0.01
50
μ
s
II
(3)
III
(3)
(2)
I
CM(max)
I
C(max)
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PDF描述
BUJ103AX NPN power transistor
BUJ103A Silicon diffused power transistor
BUJ105AB NPN power transistor
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BUJ105A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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