| 型號(hào): | BUJ103AD | 
| 廠商: | NXP Semiconductors N.V. | 
| 元件分類: | 功率晶體管 | 
| 英文描述: | NPN power transistor | 
| 封裝: | BUJ103AD<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,; | 
| 文件頁(yè)數(shù): | 5/13頁(yè) | 
| 文件大?。?/td> | 148K | 
| 代理商: | BUJ103AD | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| BUJ103AX | NPN power transistor | 
| BUJ103A | Silicon diffused power transistor | 
| BUJ105AB | NPN power transistor | 
| BUJ105AD | NPN power transistor | 
| BUJ105A | NPN power transistor | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| BUJ103AD,118 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| BUJ103AU | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor | 
| BUJ103AX | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor | 
| BUJ103AX,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| BUJ105A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |