參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ103AD
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ103AD<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大小： 148K
代理商： BUJ103AD
BUJ103AD
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 8 November 2011
3 of 13
NXP Semiconductors
BUJ103AD
Silicon diffused power transistor
5. Thermal characteristics
[1]
Device mounted on a printed-circuit board; minimum footprint.
6. Characteristics
Table 4.
Symbol
R
th(j-mb)
R
th(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to mounting base
thermal resistance from junction to ambient
Conditions
see
Figure 2
Min
-
Typ
-
75
Max
1.56
-
Unit
K/W
K/W
[1]
-
Fig 2.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
001aab998
t
p
(s)
10
5
1
10
10
1
10
2
10
4
10
3
1
10
1
10
Z
th(j-mb)
(K/W)
10
2
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
t
p
t
p
T
T
P
tot
t
δ
=
0.01
Table 5.
T
mb
= 25
C; unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Static characteristics
I
CES
collector-emitter cut-off
current
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
; T
j
= 125
C
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
CEO
= V
CEOMmax
= 400 V
[1]
-
-
-
-
-
1.0
2.0
1.0
0.1
mA
mA
mA
mA
[1]
-
I
CBO
I
CEO
collector-base cut-off current
collector-emitter cut-off
current
emitter-base cut-off current
collector-emitter sustaining
voltage
collector-emitter saturation
voltage
base-emitter saturation
voltage
DC current gain
[1]
-
[1]
-
I
EBO
V
CEOsus
V
EB
= 7 V; I
C
= 0 A
I
B
= 0 A; I
C
= 10 mA; L = 25 mH;
see
Figure 3
and
4
I
C
= 3.0 A; I
B
= 0.6 A; see
Figure 10
-
400
-
-
0.1
-
mA
V
V
CEsat
-
0.25
1.0
V
V
BEsat
I
C
= 3.0 A; I
B
= 0.6 A; see
Figure 11
-
0.97
1.5
V
h
FE
I
C
= 1 mA; V
CE
= 5 V; see
Figure 9
I
C
= 500 mA; V
CE
= 5 V
10
13
17
22
32
32
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PDF描述
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