參數(shù)資料
型號： BUJ103AD
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ103AD<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 6/13頁
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代理商： BUJ103AD
BUJ103AD
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 8 November 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BUJ103AD
Silicon diffused power transistor
T
j
= 25
C.
Fig 9.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 10. Collector-emitter saturation voltage as a
function of base current; typical values
I
C
/I
B
= 4.
I
C
/I
B
= 4.
Fig 11. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 12. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
001aab994
I
C
(A)
10
2
10
1
10
1
10
10
2
h
FE
1
V
CE
= 5 V
1 V
T
j
= 25
°
C
I
B
(A)
10
2
10
1
10
1
001aab995
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
V
CEsat
(V)
0
I
C
= 1 A
2 A 3 A
4 A
001aab996
V
BEsat
(V)
I
C
(A)
10
1
10
1
0.6
0.8
0.2
0.4
1.0
1.2
1.4
0
001aab997
V
CEsat
(V)
I
C
(A)
10
1
10
1
0.2
0.1
0.3
0.4
0.5
0
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BUJ105A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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