參數(shù)資料
型號(hào): BUJ103AD
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN power transistor
封裝: BUJ103AD<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
文件頁(yè)數(shù): 11/13頁(yè)
文件大小: 148K
代理商: BUJ103AD
BUJ103AD
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 8 November 2011
11 of 13
NXP Semiconductors
BUJ103AD
Silicon diffused power transistor
11. Legal information
11.1 Data sheet status
[1]
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[2]
The term ‘short data sheet’ is explained in section “Definitions”.
[3]
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJ103AX NPN power transistor
BUJ103A Silicon diffused power transistor
BUJ105AB NPN power transistor
BUJ105AD NPN power transistor
BUJ105A NPN power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUJ103AD,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ103AU 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103AX 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ105A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor