參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ103AD
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ103AD<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 4/13頁
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代理商： BUJ103AD
BUJ103AD
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 8 November 2011
4 of 13
NXP Semiconductors
BUJ103AD
Silicon diffused power transistor
[1]
Measured with half sine-wave voltage (curve tracer).
h
FEsat
DC saturation current gain
I
C
= 2.0 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 3.0 A; V
CE
= 5 V
11
-
16
12.5
22
-
Dynamic characteristics
Switching times (resistive load); see
Figure 5
and
6
t
on
turn-on time
t
stg
storage time
t
f
fall time
Switching times (inductive load); see
Figure 7
and
8
t
stg
storage time
t
f
fall time
Switching times (inductive load); see
Figure 7
and
8
t
stg
storage time
t
f
fall time
I
Con
= 2.5 A; I
Bon
=
I
Boff
= 0.5 A;
R
L
= 75
-
-
-
0.52
2.7
0.3
0.6
3.3
0.35
s
s
s
I
Con
= 2 A; I
Bon
= 0.4 A; L
B
= 1
H;
V
BB
=
5 V
-
-
1.2
30
1.4
60
s
ns
I
Con
= 2 A; I
Bon
= 0.4 A; L
B
= 1
H;
V
BB
=
5 V; T
j
= 100
C
-
-
-
-
1.8
120
s
ns
Table 5.
T
mb
= 25
C; unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Characteristics
…continued
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Fig 3.
Test circuit for collector-emitter sustaining
voltage
Fig 4.
Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage test waveform
001aab987
horizontal
1
Ω
300
Ω
6 V
vertical
oscilloscope
50 V
100
Ω
to 200
Ω
30 Hz to 60 Hz
001aab988
V
CE
(V)
min
V
CEOsus
I
C
(mA)
10
100
250
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJ103AX NPN power transistor
BUJ103A Silicon diffused power transistor
BUJ105AB NPN power transistor
BUJ105AD NPN power transistor
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BUJ103AU 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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BUJ105A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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