| 型號(hào): | BSR19A | 
| 廠商: | NXP Semiconductors N.V. | 
| 元件分類: | 功率晶體管 | 
| 英文描述: | NPN high voltage transistors | 
| 中文描述: | NPN 高壓晶體管 | 
| 封裝: | BSR19A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; | 
| 文件頁數(shù): | 7/8頁 | 
| 文件大?。?/td> | 131K | 
| 代理商: | BSR19A | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| BSR30 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR | 
| BSR33 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR | 
| BSS123A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | 
| BSS123W | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | 
| BSS123 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| BSR19A T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| BSR19A,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| BSR19A215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 | 
| BSR19AT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-23 | 
| BSR19T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-23 |