參數(shù)資料
型號： BSR19A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN high voltage transistors
中文描述： NPN 高壓晶體管
封裝： BSR19A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 131K
代理商： BSR19A
2004 Mar 15
3
NXP Semiconductors
Product data sheet
NPN high voltage transistors
BSR19; BSR19A
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BSR19
BSR19A
collector-emitter voltage
BSR19
BSR19A
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
BSR19
BSR19A
transition frequency
open emitter
160
180
V
V
V
CEO
open base
140
160
600
250
V
V
mA
mW
I
CM
P
tot
h
FE
T
amb
≤
25
°
C
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V
60
80
100
300
f
T
I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz
MHz
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BSR19
BSR19A
collector-emitter voltage
BSR19
BSR19A
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
base current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
160
180
V
V
V
CEO
open base
65
65
140
160
6
300
600
100
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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