參數(shù)資料
型號： BSR33
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 33K
代理商： BSR33
SOT89 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 4 – MARCH 2001
COMPLEMENTARY TYPE –
BSR43
PARTMARKING DETAILS –
BR4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
TOT
T
j
:T
stg
-90
V
Collector-Emitter Voltage
-80
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-2
A
Continuous Collector Current
-1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
1
W
-65 to +150
°C
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-90
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-80
V
I
C
=-10mA
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-10
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-100
-50
nA
μ
A
V
V
V
CB
=-60V
V
CB
=-60V, T
amb
=125°C
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
I
C
=-100
μ
A, V
CE
=-5V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-5V*
V
CB
=-10V, f =1MHz
V
EB
=-0.5V, f =1MHz
I
=-50mA, V
CE
=-10V
f =35MHz
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.25
-0.5
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.0
-1.2
V
V
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
30
100
50
300
Output Capacitance
C
obo
C
ibo
f
T
20
pF
Input Capacitance
120
pF
Transition Frequency
100
MHz
Turn-On Time
T
on
T
off
500
ns
V
CC
=-20V, I
=-100mA
I
B1
=-I
B2
=-5mA
Turn-Off Time
650
ns
*Measured under pulsed conditions.
Spice parameter data is available upon request for this device
BSR33
C
C
B
E
SOT89
TBA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS123A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BSS123W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS123-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSR33,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSR33,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin (3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSR33115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 80V 0.1A SOT89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPLR TRANSISTOR MED PWR PNP
BSR33QTA 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-89 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2.1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000
BSR33T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*