參數(shù)資料
型號： BSS123W
廠商： Diodes Inc.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： BSS123W
DS30368 Rev. 2 - 2
1 of 3
BSS123W
www.diodes.com
BSS123W
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT
TRANSISTOR
Features
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
High Drain-Source Voltage Rating
Mechanical Data
Maximum Ratings
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Units
Drain-Source Voltage
V
DSS
100
V
Drain-Gate Voltage R
GS
20K
V
DGR
100
V
Gate-Source Voltage
Continuous
V
GSS
20
V
Drain Current (Note 1)
Pulsed
Continuous
I
D
I
DM
170
680
mA
Total Power Dissipation (Note 1)
P
d
200
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
R
JA
625
C/W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
, T
STG
-55 to +150
C
Case: SOT-323, Molded Plastic
Plastic Material - UL Flammability Classification
Rating 94V-0
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking: K23 (See Page 3)
Weight: 0.006 grams (approx.)
A
M
J
L
E
D
B
C
H
K
G
G
S
D
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
SOT-323
Min
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
Max
0.25
0.40
1.15
1.35
2.00
2.20
0.65 Nominal
0.30
0.40
1.20
1.40
1.80
2.20
0.0
0.10
0.90
1.00
0.25
0.40
0.10
0.18
0
8
All Dimensions in mm
Notes:
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
Source
Gate
Drain
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS123-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS138DW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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BSS123W-7-F 功能描述:MOSFET 100V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS123WQ-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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