參數(shù)資料
型號： BSR19A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN high voltage transistors
中文描述： NPN 高壓晶體管
封裝： BSR19A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 131K
代理商： BSR19A
2004 Mar 15
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
NPN high voltage transistors
BSR19; BSR19A
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
BSR19
I
E
= 0 A; V
CB
= 100 V
I
E
= 0 A; V
CB
= 100 V; T
amb
= 100
°
C
100
100
nA
μ
A
I
CBO
collector cut-off current
BSR19A
I
E
= 0 A; V
CB
= 120 V
I
E
= 0 A; V
CB
= 120 V; T
amb
= 100
°
C
I
C
= 0 A; V
EB
= 4 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 5 V
50
50
50
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BSR19
BSR19A
DC current gain
BSR19
BSR19A
DC current gain
BSR19
BSR19A
collector-emitter saturation voltage
collector-emitter saturation voltage
BSR19
BSR19A
collector capacitance
transition frequency
60
80
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V
60
80
250
250
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V
20
30
150
V
CEsat
V
CEsat
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 50 mA; I
B
= 5 mA
mV
100
250
200
6
300
mV
mV
pF
MHz
C
c
f
T
I
E
= 0 A; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz
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