參數(shù)資料
型號(hào)： BSR19A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN high voltage transistors
中文描述： NPN 高壓晶體管
封裝： BSR19A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 131K
代理商： BSR19A
2004 Mar 15
6
Product data sheet
NPN high voltage transistors
BSR19; BSR19A
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
1
max.
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
04-11-04
06-03-16
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.1
0.48
0.38
0.15
0.09
3.0
2.8
1.4
1.2
0.95
e
1.9
2.5
2.1
0.55
0.45
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT23
TO-236AB
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
1.1
0.9
c
X
1
2
3
Plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSR30 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BSR33 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BSS123A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BSS123W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSR19A T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSR19A,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSR19A215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1
BSR19AT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-23
BSR19T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-23
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