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參數(shù)資料
| 型號： | BS616UV1010DCG10 |
| 廠商： | BRILLIANCE SEMICONDUCTOR, INC. |
| 英文描述： | Ultra Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit |
| 中文描述： | 超低功耗CMOS SRAM 64K的× 16位 |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | BS616UV1010DCG10 |
BS616UV1010
R0201-BS616UV1010
Revision
May.
2.6
2006
5
n
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= -40
O
C to +85
O
C)
READ CYCLE
JEDEC
PARAMETER
NAME
CYCLE TIME : 100ns
PARANETER
NAME
DESCRIPTION
MIN.
TYP.
MAX.
UNITS
t
AVAX
t
RC
Read Cycle Time
100
--
--
ns
t
AVQX
t
AA
Address Access Time
--
--
100
ns
t
ELQV
t
ACS
Chip Select Access Time
(CE)
--
--
100
ns
t
BLQV
t
BA
Data Byte Control Access Time
(LB, UB)
--
--
100
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Valid
--
--
50
ns
t
ELQX
t
CLZ
Chip Select to Output Low Z
(CE)
15
--
--
ns
t
BLQX
t
BE
Data Byte Control to Output Low Z
(LB, UB)
15
--
--
ns
t
GLQX
t
OLZ
Output Enable to Output Low Z
15
--
--
ns
t
EHQZ
t
CHZ
Chip Select to Output High Z
(CE)
--
--
40
ns
t
BHQZ
t
BDO
Data Byte Control to Output High Z
(LB, UB)
--
--
40
ns
t
GHQZ
t
OHZ
Output Enable to Output High Z
--
--
35
ns
t
AVQX
t
OH
Data Hold from Address Change
15
--
--
ns
n
SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)
READ CYCLE 1
(1,2,4)
t
RC
t
OH
t
AA
D
OUT
ADDRESS
t
OH
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PDF描述 |
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