參數(shù)資料
型號(hào)： AM29BDS323D
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory
中文描述： 32兆位（2米× 16位）的CMOS 1.8伏，只有同時(shí)讀/寫，突發(fā)模式閃存
文件頁數(shù)： 36/44頁
文件大?。?/td> 746K
代理商： AM29BDS323D
36
Am29BDS323D
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. Cxx indicates the clock that triggers Dxx on the outputs; for example, C61 triggers D61.
2. If PS is enabled, RDY will be low for an additional cycle prior to the boundary crossing latency.
Figure 17.
Latency with Boundary Crossing
CLK
Address (hex)
C61
C62
C63
C64
C64
C65
C66
C67
C68
C69
D61
D62
D63
D64
D65
D66
D67
D68
D69
(stays high)
AVD#
RDY
A/DQ0:
A/DQ15
OE#,
CE#
(stays low)
address boundary occurs every 64 words, beginning
at address 000000h: 00003Fh, 00007Fh, 0000BFh, etc.)
3C
3D
3E
3F
3F
40
41
42
43
44
latency
t
RACC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29BDS323DT11AWKI 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory
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