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參數(shù)資料
| 型號： | AM29BDS323D |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（2米× 16位）的CMOS 1.8伏，只有同時讀/寫，突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 746K |
| 代理商： | AM29BDS323D |
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Am29BDS323D
27
P R E L I M I N A R Y
TEST CONDITIONS
Table 7.
Test Specifications
Key to Switching Waveforms
C
L
Device
Under
Test
Figure 7.
Test Setup
Test Condition
11A
Unit
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0
–
V
CC
V
Input timing measurement
reference levels
V
CC
/2
V
Output timing measurement
reference levels
V
CC
/2
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don
’
t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
V
CC
0.0 V
Output
Measurement Level
Input
V
CC
/2
V
CC
/2
Figure 8.
Input Waveforms and Measurement Levels
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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