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參數(shù)資料
| 型號： | ZPSD612(V)E1 |
| 英文描述： | Field Programmable Microcontroller Peripherals with Embedded Micro--Cell(可編程邏輯，零功耗，4K位SRAM,26個可編程I/O,通用PLD有63個輸入) |
| 中文描述： | 現(xiàn)場可編程微控制器外圍設備和嵌入式微-細胞（可編程邏輯，零功耗，4K的位的SRAM，26余個可編程輸入/輸出，通用PLD的有63個輸入） |
| 文件頁數(shù)： | 89/98頁 |
| 文件大?。?/td> | 484K |
| 代理商： | ZPSD612(V)E1 |
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ZPSD6XX(V) Family
12-89
Figure 35. Peripheral I/O Write Timing
Figure 34. Peripheral I/O Read Timing
tQXRH (PA)
tRHQZ (PA)
tRLQV (PA)
tRLRH (PA)
tDVQV (PA)
tSLQV (PA)
tAVQV (PA)
ADDRESS
DATA VALID
ALE/AS
A/D BUS
RD
DATA ON PORT A
CSI
tDVQV (PA)
tWLQV (PA)
tWHQZ (PA)
ADDRESS
DATA OUT
A/D BUS
WR
PORT A
DATA OUT
ALE/AS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZPSD613(V)E1 | Field Programmable Microcontroller Peripherals with Embedded Micro--Cell(可編程邏輯，零功耗，4K位SRAM,26個可編程I/O,通用PLD有63個輸入) |
| ZPSD813F1V | Flash In System Programmable Mirocomputer Peripherals(閃速，在系統(tǒng)可編程微控制器外圍器件，1M位閃速存儲器，256K位EEPROM，16K位SRAM) |
| ZR33771GC-40 | Cell Rectifier Diodes |
| ZR33771GM-20 | Cell Rectifier Diodes |
| ZR33771GM-30 | Cell Rectifier Diodes |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZPSD613E1-15J | 制造商:WSI 功能描述: |
| ZPSD613E1-15L | 制造商:WSI 功能描述: |
| ZPSD613E1-70J | 制造商:WSI 功能描述: |
| ZPSD613E1-70L | 制造商:WSI 功能描述: |
| ZPSD613E1V-20L | 制造商:WSI 功能描述: |
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