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參數(shù)資料
| 型號： | WED9LC6816V1610BI |
| 廠商： | WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153 |
| 文件頁數(shù)： | 7/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 324K |
| 代理商： | WED9LC6816V1610BI |
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WED9LC6816V
15
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
September, 2003
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
FIG. 7 SDRAM READ & WRITE CYCLE AT SAME BANK @
BURST LENGTH = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
SDCK
SDCE#
SDRAS#
SDWE#
ADDR
Ra
Ca0
Cb0
CL=2
CL=3
tRAC
Note 3
tRAC
Note 3
tSAC
tSHZ Note 4
Qa0
Qa1
Qa2
BA0, 1
[A12,A13]
SDA10
Ra
Rb
BWE#
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
DON’T CARE
SDCAS#
Rb
DQ
tOH
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
tRDL
tRC
tRCD
Note 1
NOTES:
1.
Minimum row cycle times are required to complete internal DRAM operation.
2.
Row precharge can interrupt burst on any cycle. (CAS Latency - 1) number of valid output data is available after Row precharge. Last valid output will be Hi-Z (tSHZ)
after the clock.
3.
Access time from Row active command. tCC *(tRCD + CAS Latency - 1) + tSAC.
4.
Output will be Hi-Z after the end of burst. (1, 2, 4, 8 & Full page bit burst)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS128K32V-20G2TIA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQMA68 |
| W3EG2128M64ETSR335JD3SG | 256M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| W3DG6463V7D2-GG | 64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168 |
| WED3DG644V75D1I-MG | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, ZMA144 |
| W3HG2256M72ACER534D6MG | 512M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED9LC6816V1612BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1612BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2012BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
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