參數(shù)資料
型號(hào)： WED9LC6816V1610BI
廠(chǎng)商： WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP
元件分類(lèi)： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153
封裝： 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153
文件頁(yè)數(shù)： 13/26頁(yè)
文件大?。?/td> 324K
代理商： WED9LC6816V1610BI
WED9LC6816V
20
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
September, 2003
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
FIG. 12 SDRAM READ & WRITE CYCLE WITH AUTO PRECHARGE @
BURST LENGTH = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Qa1
Qa0
Qa2
Qa3
Db2
Db0
Db1
Db3
Qa0
Qa3
Qa1
Qa2
Db2
Db0
Db1
Db3
Ra
Rb
Ca
Cb
Ra
Rb
SDCLK
CL=2
CL=3
DQ
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
DON’T CARE
SDCE#
SDRAS#
SDCAS#
ADDR
BA0, 1
[A12,A13]
SDWE#
SDA10
BWE#
NOTES:
1. tCDL should be controlled to meet minimum tRAS before internal precharge start.
(In the case of Burst Length = 1 & 2 and BRSW mode)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WS128K32V-20G2TIA 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQMA68
W3EG2128M64ETSR335JD3SG 256M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184
W3DG6463V7D2-GG 64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168
WED3DG644V75D1I-MG 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, ZMA144
W3HG2256M72ACER534D6MG 512M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WED9LC6816V1612BC 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1612BI 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V2010BC 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V2010BI 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V2012BC 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
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