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參數(shù)資料
| 型號： | WED9LC6816V1610BI |
| 廠商： | WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153 |
| 文件頁數(shù)： | 15/26頁 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | WED9LC6816V1610BI |
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WED9LC6816V
22
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
September, 2003
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
FIG. 14 SDRAM WRITE INTERRUPTED BY PRECHARGE COMMAND &
WRITE BURST STOP @ BURST LENGTH = FULL PAGE
0
1
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8
9
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18
19
SDCK
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Burst Stop
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
DON’T CARE
SDCE#
SDWE#
SDRAS#
SDCAS#
ADDR
RAa
CAa
CAb
BA0, 1
[A12,A13]
SDA10
RAa
DQ
DAa2
DAa1
DAa0
DAa3 DAa4
tBDL
DAb3
DAb0 DAb1 DAb2
DAB4 DAb5
BWE#
tRDL
Note 2
NOTES:
1.
At full page mode, burst is end at the end of burst. So auto precharge is possible.
2.
Data-in at the cycle of interrupted by precharge can not be written into the corresponding memory cell. It is dened by AC parameter of tRDL. BWE# at write interrupt
by precharge command is needed to prevent invalid write.
BWE# should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst. Input data after Row recharge cycle will be
masked internally.
3.
Burst stop is valid at every burst length.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS128K32V-20G2TIA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQMA68 |
| W3EG2128M64ETSR335JD3SG | 256M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| W3DG6463V7D2-GG | 64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168 |
| WED3DG644V75D1I-MG | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, ZMA144 |
| W3HG2256M72ACER534D6MG | 512M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED9LC6816V1612BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1612BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2012BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
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