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參數(shù)資料
| 型號： | WED9LC6816V1610BI |
| 廠商： | WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153 |
| 文件頁數(shù)： | 10/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 324K |
| 代理商： | WED9LC6816V1610BI |
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WED9LC6816V
18
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
September, 2003
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
FIG. 10 SDRAM PAGE WRITE CYCLE AT DIFFERENT BANK @
BURST LENGTH = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
SDCK
Note 2
SDCE#
SDRAS#
SDCAS#
ADDR
RAa
CAa
RBb
CBb
CAc
CBb
BA0, 1
[A12,A13]
SDA10
RAa
RBb
DQ
DAa0 DAa1 DAa2 DAa3 DBb0 DBb1 DBb2 DBb3
DBd0
DAc0 DAc1
DBd1
tRDL
tCDL
SDWE#
BWE#
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Write
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Precharge
(Both Banks)
DON’T CARE
Note 1
NOTES:
1.
To interrupt burst write by Row precharge, BWE# should be asserted to mask invalid input data.
2.
To interrupt a burst read by Row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS128K32V-20G2TIA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQMA68 |
| W3EG2128M64ETSR335JD3SG | 256M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| W3DG6463V7D2-GG | 64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168 |
| WED3DG644V75D1I-MG | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, ZMA144 |
| W3HG2256M72ACER534D6MG | 512M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED9LC6816V1612BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1612BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2012BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
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