參數(shù)資料
型號(hào)： W987X6CBG80
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 8 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54
文件頁(yè)數(shù)： 46/46頁(yè)
文件大小： 1634K
代理商： W987X6CBG80
Preliminary W987X6CB
Publication Release Date: June 6, 2002
- 9 -
Revision A1
11. AC CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITION
(Vcc = 2.5V
±0.2V, TA = 0° C to 70° C for commercial parts ,TA = -40° C to 85° C for Industrial parts; Notes: 5, 6, 7, 8)
-75/75I
-8/-8I
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
Ref/Active to Ref/Active Command Period
tRC
65
68
Active to precharge Command Period
tRAS
45
100000
48
100000
nS
Active to Read/Write Command Delay Time
tRCD
20
Read/Write(a) to Read/Write(b)Command Period
tCCD
1
Cycle
Precharge to Active Command Period
tRP
20
Active(a) to Active(b) Command Period
tRRD
15
16
CL* = 2
10
Write Recovery Time
CL* = 3
tWR
7.5
8
CL* = 2
10
CLK Cycle Time
CL* = 3
tCK
7.5
8
CLK High Level width
tCH
2.5
3
CLK Low Level width
tCL
2.5
3
CL* = 2
6
Access Time from CLK
CL* = 3
tAC
5.4
6
nS
Output Data Hold Time
tOH
3
Output Data High Impedance Time
tHZ
3
7.5
3
8
Output Data Low Impedance Time
tLZ
0
Power Down Mode Entry Time
tSB
0
7.5
0
8
Transition Time of CLK
(Rise and Fall)
tT
0.3
10
0.3
10
Data-in Set-up Time
tDS
1.5
2
Data-in Hold Time
tDH
1
Address Set-up Time
tAS
1.5
2
Address Hold Time
tAH
1
CKE Set-up Time
tCKS
1.5
2
CKE Hold Time
tCKH
1
Command Set-up Time
tCMS
1.5
2
Command Hold Time
tCMH
1
Refresh Time
tREF
64
mS
Mode register Set Cycle Time
tRSC
15
16
nS
*CL = CAS Latency
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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WF512K32-90G1TI5 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68
WS128K32-70G4I 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CQFP68
WS128K32-85G4I 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CQFP68
WS128K32-85HM 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CHIP66
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參數(shù)描述
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