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參數(shù)資料
| 型號： | W987X6CBG80 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 32/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 1634K |
| 代理商： | W987X6CBG80 |
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Preliminary W987X6CB
- 38 -
Operating Timing Example, continued
Auto Precharge Timing (Read Cycle)
Read
AP
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Q0
Read
AP
Act
Q1
Read
AP
Act
Q1
Q2
AP
Act
Read
Act
Q0
Q3
(1) CAS Latency=2
Read
Act
AP
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate command to
the start of internal precgarging must be at least tRAS(min).
represents the Read with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note )
tRP
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
tRP
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
Q0
Read
AP
Act
Q0
Read
AP
Act
Q1
Q0
Read
AP
Act
Q1
Q2
Q3
Read
AP
Act
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
(2) CAS Latency=3
tRP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| WF512K32-90G1TI5 | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68 |
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| WS128K32-85G4I | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CQFP68 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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