- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄202139 > W987X6CBG80 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W987X6CBG80 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 26/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 1634K |
| 代理商： | W987X6CBG80 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁當前第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁
Preliminary W987X6CB
- 32 -
Operating Timing Example, continued
Auto Precharge Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
(CLK = 100 MHz)
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
BS0
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRCD
tAC
Active
Read
AP*
Active
Read
RAa
RAb
RAa
CAw
RAb
CAx
aw0
aw1
aw2
aw3
* AP is the internal precharge start timing
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
tAC
AP*
bx0
bx1
bx2
bx3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF512K32-90G1TI5A | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68 |
| WF512K32-90G1TI5 | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68 |
| WS128K32-70G4I | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CQFP68 |
| WS128K32-85G4I | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CQFP68 |
| WS128K32-85HM | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CHIP66 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W987Y6CBN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM |
| W987Z6CBN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM |
| W988D2FB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256Mb Mobile LPSDR |
| W988D2FBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPSDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
| W988D2FBJX6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256Mb Mobile LPSDR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。