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參數(shù)資料
| 型號： | W986432EH-7 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 7/48頁 |
| 文件大小： | 1180K |
| 代理商： | W986432EH-7 |
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W986432EH / W9864G2EH
Publication Release Date: August 17 ,2005
- 15 -
Revision A09
12. CAPACITANCE
(
VCC =3.3V±0.3V, TA = 25 °C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
Input Capacitance
(A0 to A10, BS0, BS1, CS , RAS , CAS , WE , DQM, CKE)
Ci
2.5
4
pf
Input Capacitance (CLK)
CCLK
2.5
4
pf
Input/Output capacitance (DQ0
DQ31)
Co
4
6.5
pf
Note:
These parameters are periodically sampled and not 100% tested
12.1 DC CHARACTERISTICS
(VCC =
3.3V±0.3V, TA = 0°~70°C for –5/-6/-7)
-5
-6
-7
PARAMETER
SYM.
MAX.
UNIT
NOTES
Operating Current
tCK = min., tRC = min.
Active precharge
command cycling without
burst operation
1 bank operation
ICC1
110
90
80
3
Standby Current
tCK = min., CS = VIH
VIH/L = VIH (min.)/VIL (max.)
CKE = VIH
ICC2
45
35
30
3
Bank: inactive state
CKE = VIL (Power
Down mode)
ICC2P
3
Standby Current
CLK = VIL, CS = VIH
VIH/L=VIH (min.)/VIL (max.)
CKE = VIH
ICC2S
8
BANK: inactive state
CKE = VIL (Power
Down mode)
ICC2PS
3
mA
No Operating Current
tCK = min., CS = VIH (min.)
CKE = VIH
ICC3
70
60
55
BANK: active state (4
banks)
CKE = VIL (Power
Down mode)
ICC3P
15
Burst Operating Current
(tCK = min.)
Read/Write command cycling
ICC4
190
165
145
3, 4
Auto Refresh Current
(tCK = min.)
Auto refresh command cycling
ICC5
125
120
110
3
Self Refresh Current
CKE = 0.2V
Self refresh mode
Standard (-5/-6/-7)
ICC6
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| W9864G2GH-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 4 BANKS X 32BITS SDRAM |
| W9864G2GH-6C | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 4 BANKS X 32BITS SDRAM |
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