- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄245661 > W986432EH-7 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W986432EH-7 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 36/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 1180K |
| 代理商： | W986432EH-7 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁當前第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁
W986432EH / W9864G2EH
Publication Release Date: August 17 ,2005
- 41 -
Revision A09
Operating Timing Example, continued
15.18 Timing Chart of Write to Read Cycle
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
In the case of Burst Length = 4
Q0
Read
Q1
Q2
Q3
Read
Write
D0
D1
DQ
( a ) Command
( b ) Command
DQM
(2) CAS Latency = 3
Q0
Q1
Q2
Q3
D0
Read
Write
Read
Write
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
Q2
Q3
( a ) Command
DQ
DQM
( b ) Command
DQM
(1) CAS Latency = 2
D0
D1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25X40-VSSI-G | 4M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| WF2M16W-90DAI5A | 2M X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CDSO56 |
| WF2M16W-120DLM5A | 2M X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CDSO44 |
| WF2M16W-90DAM5A | 2M X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CDSO56 |
| WF2M16W-120DAC5A | 2M X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CDSO56 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9864G2DH6 | 制造商:WINBOND 功能描述:New |
| W9864G2GH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 4 BANKS X 32BITS SDRAM |
| W9864G2GH-5 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 4 BANKS X 32BITS SDRAM |
| W9864G2GH-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 4 BANKS X 32BITS SDRAM |
| W9864G2GH-6C | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 4 BANKS X 32BITS SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。