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參數資料
| 型號： | W25X16-VSFI |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO16 |
| 封裝： | 0.300 INCH, SOIC-16 |
| 文件頁數： | 27/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 1317K |
| 代理商： | W25X16-VSFI |
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W25X16, W25X32, W25X64
Publication Release Date: June 28, 2006
- 33 -
Preliminary - Revision B
12. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (PRELIMINARY) (4)
12.1 Absolute Maximum Ratings (1)
PARAMETERS
SYMBOL
CONDITIONS
RANGE
UNIT
Supply Voltage
VCC
–0.6 to +4.0
V
Voltage Applied to Any Pin
VIO
Relative to Ground
–0.6 to VCC +0.4
V
Storage Temperature
TSTG
–65 to +150
°C
Lead Temperature
TLEAD
See Note (2)
°C
Electrostatic Discharge Voltage
VESD
Human Body Model(3)
–2000 to +2000
V
Notes:
1. This device has been designed and tested for the specified operation ranges. Proper operation
outside of these levels is not guaranteed. Exposure beyond absolute maximum ratings (listed
above) may cause permanent damage.
2. Compliant with JEDEC Standard J-STD-20C for small body Sn-Pb or Pb-free (Green) assembly
and the European directive on restrictions on hazardous substances (RoHS) 2002/95/EU.
3. JEDEC Std JESD22-A114A (C1=100 pF, R1=1500 ohms, R2=500 ohms).
4. See preliminary designation at the end of this datasheet.
12.2 Operating Ranges
SPEC
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
MAX
UNIT
Supply Voltage(1)
VCC
FR = 50MHz, fR = 33MHz
FR0 = 70MHz, fR = 33MHz
FR1 = 75MHz, fR = 33MHz
2.7
3.0
3.6
V
Ambient Temperature,
Operating
TA
Commercial
(2)
Industrial
0
–40
+70
+85
°C
Note:
1.
VCC voltage during Read can operate across the min and max range but should not exceed ±10% of the
programming (erase/write) voltage.
2.
Commercial temperature only applies to Fast Read (FR0 & FR1) and 100K cycles endurance for 4K byte sectors .
Industrial temperature applies to all other parameters.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q64CVSSAG | 64M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| WS32K32-100HC | 128K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CHIP66 |
| WS128K32-25G4CE | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 25 ns, CQFP68 |
| WMS128K8L-35DEQE | 128K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, CDSO32 |
| WMF512K8X-120CLQ5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, CQCC32 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W25X16VSFIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 75MHZ 16SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W25X16VSFIG T&R | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 75MHZ 16SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W25X16VSFIZ | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16M-BIT, 32M-BIT, AND 64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
| W25X16VSSI | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16M-BIT, 32M-BIT, AND 64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
| W25X16VSSIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
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