參數資料
型號： VNW35NV04
廠商： 意法半導體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數： 7/19頁
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代理商： VNW35NV04
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VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
GEN
ND8003
V
IN
Fig. 3:
Unclamped Inductive Load Test Circuits
Fig. 5:
Input Charge Test Circuit
Fig. 4:
Unclamped Inductive Waveforms
R
GEN
P
W
V
IN
Fig 6
:
Thermal Impedance for TO-220
Fig. 7:
Thermal Impedance for TO-247
相關PDF資料
PDF描述
VNW50N04A THERMISTOR, NTC; Series:B578; Thermistor type:NTC; Resistance:100kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:4540; Temperature, lower limit, beta value:25(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
VNW50N04 ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VO1815-3 Peripheral IC
VO1814 Peripheral IC
VO1815-1 Peripheral IC
相關代理商/技術參數
參數描述
VNW35NV04-E 功能描述:電源開關 IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNW50N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNW50N04A 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNW50N04A_04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNW50N04-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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