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參數資料
| 型號： | VNW35NV04 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
| 中文描述： | “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET |
| 文件頁數： | 15/19頁 |
| 文件大小： | 412K |
| 代理商： | VNW35NV04 |
15/19
VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
DIM.
mm.
MIN.
TYP
MAX.
A
4.4
4.6
A1
2.49
2.69
A2
0.03
0.23
B
0.7
0.93
B2
1.14
1.7
C
0.45
0.6
C2
1.23
1.36
D
8.95
9.35
D1
8
E
10
10.4
E1
8.5
G
4.88
5.28
L
15
15.85
L2
1.27
1.4
L3
1.4
1.75
M
2.4
3.2
R
0.4
V2
0
o
8o
D
2
PAK MECHANICAL DATA
P011P6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNW50N04A | THERMISTOR, NTC; Series:B578; Thermistor type:NTC; Resistance:100kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:4540; Temperature, lower limit, beta value:25(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes |
| VNW50N04 | ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
| VO1815-3 | Peripheral IC |
| VO1814 | Peripheral IC |
| VO1815-1 | Peripheral IC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| VNW35NV04-E | 功能描述:電源開關 IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VNW50N04 | 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VNW50N04A | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
| VNW50N04A_04 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
| VNW50N04-E | 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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