參數(shù)資料
型號： VNW35NV04
廠商： 意法半導體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 13/19頁
文件大?。?/td> 412K
代理商： VNW35NV04
13/19
VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
1
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.7
2.2
0.4
1
2
3
MAX.
5.3
2.6
0.8
1.4
2.4
3.4
MIN.
0.185
0.087
0.016
0.039
0.079
0.118
MAX.
0.209
0.102
0.031
0.055
0.094
0.134
A
D
E
F
F3
F4
G
H
L
L3
L4
L5
M
Dia.
10.9
0.429
15.3
19.7
14.2
15.9
20.3
14.8
0.602
0.776
0.559
0.626
0.779
0.582
34.6
5.5
1.362
0.217
2
3
0.079
0.140
0.118
0.144
3.55
3.65
TO-247 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNW50N04A THERMISTOR, NTC; Series:B578; Thermistor type:NTC; Resistance:100kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:4540; Temperature, lower limit, beta value:25(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
VNW50N04 ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VO1815-3 Peripheral IC
VO1814 Peripheral IC
VO1815-1 Peripheral IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNW35NV04-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNW50N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNW50N04A 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNW50N04A_04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNW50N04-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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