參數(shù)資料
型號： VNW35NV04
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 17/19頁
文件大?。?/td> 412K
代理商： VNW35NV04
17/19
VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
PowerSO-10
SUGGESTED PAD LAYOUT
1
TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix “13TR”)
REEL DIMENSIONS
All dimensions are in mm.
Base Q.ty
Bulk Q.ty
A (max)
B (min)
C (
± 0.2)
F
G (+ 2 / -0)
N (min)
T (max)
600
600
330
1.5
13
20.2
24.4
60
30.4
TAPE DIMENSIONS
According to Electronic Industries Association
(EIA) Standard 481 rev. A, Feb 1986
All dimensions are in mm.
Tape width
Tape Hole Spacing
Component Spacing
Hole Diameter
Hole Diameter
Hole Position
Compartment Depth
Hole Spacing
W
24
4
24
1.5
1.5
11.5
6.5
2
P0 (± 0.1)
P
D (± 0.1/-0)
D1 (min)
F (± 0.05)
K (max)
P1 (± 0.1)
Top
cover
tape
End
Start
No components
No components
Components
500mm min
500mm min
Empty components pockets
saled with cover tape.
User direction of feed
6.30
10.8 - 11
14.6 - 14.9
9.5
1
2
3
4
5
1.27
0.67 - 0.73
0.54 - 0.6
10
9
8
7
6
B
A
C
All dimensions are in mm.
Base Q.ty Bulk Q.ty Tube length (
± 0.5)
50
1000
50
1000
A
B
C (± 0.1)
0.8
0.8
Casablanca
Muar
532
532
10.4 16.4
4.9 17.2
TUBE SHIPMENT (no suffix)
C
A
B
MUAR
CASABLANCA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNW50N04A THERMISTOR, NTC; Series:B578; Thermistor type:NTC; Resistance:100kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:4540; Temperature, lower limit, beta value:25(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
VNW50N04 ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VO1815-3 Peripheral IC
VO1814 Peripheral IC
VO1815-1 Peripheral IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNW35NV04-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNW50N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNW50N04A 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNW50N04A_04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNW50N04-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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