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參數(shù)資料
| 型號： | TMS418169P-60 |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 1048576-WORD BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT HIGH-SPEED DRAMS |
| 中文描述： | 1048576字由16位擴充數(shù)據(jù)輸出高速DRAM等 |
| 文件頁數(shù)： | 47/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 1464K |
| 代理商： | TMS418169P-60 |
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TMS55160, TMS55161, TMS55170, TMS55171
262144 BY 16-BIT MULTIPORT VIDEO RAMS
SMVS464
–
MARCH1996
47
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251
–
1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
RAS
CASx
A0
–
A8
WE
DSF
TRG
DQ0
–
DQ15
tc(W)
tw(RL)
tw(RH)
td(RLCH)
tt
td(CLRH)
tw(CL)
td(RLCL)
td(CHRL)
td(CHRL)
th(RA)
tt
tsu(RA)
tw(CH)
Write Mask
th(SFR)
tsu(SFR)
tsu(SFC)
th(SFC)
tsu(TRG)
tsu(WMR)
tsu(WCH)
tsu(WRH)
th(RLW)
th(CLW)
tsu(WCL)
th(RWM)
tsu(DCL)
tw(WL)
th(CLD)
th(RLD)
th(RSF)
th(TRG)
Refresh Row
In early-write operations, DQ0
–
DQ15 are all latched on the first falling edge of CASx. Thus, tsu(DCL) and th(CLD) are referenced only to the first
falling edge of CASx.
Figure 38. Load-Write-Mask-Register-Cycle Timing (Early-Write Load)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS418169P-70 | 1048576-WORD BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS418169P-80 | 1048576-WORD BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS4500A-15NL | DRAM Controller |
| TMS4500A-20FN | DRAM Controller |
| TMS4500A-20N | DRAM Controller |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS418169P-70 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576-WORD BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS418169P-80 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576-WORD BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS4256 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:262,144-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS4256-10FM | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:262,144-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS4256-10FME | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:262,144-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
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