參數(shù)資料
型號： TE28F160B3TA110
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
中文描述： 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 110 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, TSOP-48
文件頁數(shù)： 9/49頁
文件大?。?/td> 427K
代理商： TE28F160B3TA110
E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
9
PRELIMINARY
A
13
A
11
A
8
V
PP
WP#
A
19
A
7
A
4
A
14
A
10
WE#
RP#
A
18
A
17
A
5
A
2
A
15
A
12
A
9
A
6
A
3
A
1
A
16
D
14
D
5
D
11
D
2
D
8
CE#
A
0
V
CCQ
D
15
D
6
D
12
D
3
D
9
D
0
GND
GND
D
7
D
13
D
4
V
CC
D
10
D
1
OE#
A
B
C
D
E
F
1
2
3
4
5
6
7
8
0580_04
NOTE:
Dotted connections indicate placeholders where there is no solder ball. These connections are reserved for future upgrades.
Routing is not recommended in this area.
Figure 4. 16-Mbit 48-Ball
μ
BGA* Chip Size Package
(Top View, Ball Down)
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PDF描述
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TE28F800B3T120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3T150 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
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TE28F400BV-T80 RP40 (G) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 12V; Output Voltage (Vdc): 12V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 40 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Fixed Operating Frequency; Six-Sided Continuous Shield; Design Meet Safety Standard; Standard 50.8 x50.8x10.2mm Package; Efficiency to 90%
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參數(shù)描述
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TE28F160B3TC70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
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TE28F160B3TD70A 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
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