參數(shù)資料
型號(hào)： STGB10N60L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 10A-600V- D2PAK Logic Level IGBT(N溝道邏輯電平絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： N溝道10A條- 600V的D2PAK封裝邏輯電平IGBT的（不適用溝道邏輯電平絕緣柵雙極晶體管）
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 94K
代理商： STGB10N60L
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.3
4.6
0.169
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
B
0.7
0.93
0.027
0.036
B2
1.25
1.4
0.049
0.055
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
1.21
1.36
0.047
0.053
D
8.95
9.35
0.352
0.368
E
10
10.28
0.393
0.404
G
4.88
5.28
0.192
0.208
L
15
15.85
0.590
0.624
L2
1.27
1.4
0.050
0.055
L3
1.4
1.75
0.055
0.068
L2
L3
L
B2
B
G
E
A
C2
D
C
A1
P011P6/C
TO-263 (D
2
PAK) MECHANICAL DATA
STGB10N60L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB10NB40LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB10NB40LZT4 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH⑩ IGBT
STGB3NB60K N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD3NB60KT4 N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB10NB37LZ 功能描述:IGBT 晶體管 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB10NB37LZ_01 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMesh TM IGBT
STGB10NB37LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB10NB40LZ 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB10NB40LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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