參數(shù)資料
型號： STGB10N60L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel 10A-600V- D2PAK Logic Level IGBT(N溝道邏輯電平絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： N溝道10A條- 600V的D2PAK封裝邏輯電平IGBT的（不適用溝道邏輯電平絕緣柵雙極晶體管）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： STGB10N60L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Delay Time
Rise Time
V
CC
= 480 V
V
GE
= 5 V
V
CC
= 480 V
R
G
= 1 K
T
j
= 125
o
C
I
C
= 8 A
R
G
= 1 K
I
C
= 8 A
V
GE
= 5 V
0.7
1.9
μ
s
μ
s
A/
μ
s
E
on
Turn-on Current Slope
Turn-on
Switching Losses
5
2.5
mJ
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
c
t
r
(v
off
)
t
f
E
off
(**)
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
V
CC
= 480 V
R
GE
= 1 K
T
j
= 25
o
C
I
C
= 8 A
V
GE
= 5 V
4
2.5
1.5
9.0
μ
s
μ
s
μ
s
mJ
t
c
t
r
(v
off
)
t
f
E
off
(**)
(
) Pulse width limited by safe operating area
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(**)Losses Include Also The Tail(Jedec Standardization)
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
V
CC
= 480 V
R
GE
= 1 K
T
j
= 125
o
C
I
C
= 8 A
V
GE
= 5 V
6
3.3
2.5
10.8
μ
s
μ
s
μ
s
mJ
SafeOperating Area
Thermal Impedance
STGB10N60L
3/8
相關PDF資料
PDF描述
STGB10NB40LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB10NB40LZT4 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH⑩ IGBT
STGB3NB60K N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD3NB60KT4 N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STGB10NB37LZ 功能描述:IGBT 晶體管 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB10NB37LZ_01 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMesh TM IGBT
STGB10NB37LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB10NB40LZ 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB10NB40LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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