參數(shù)資料
型號(hào)： STGB10N60L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 10A-600V- D2PAK Logic Level IGBT(N溝道邏輯電平絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： N溝道10A條- 600V的D2PAK封裝邏輯電平IGBT的（不適用溝道邏輯電平絕緣柵雙極晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： STGB10N60L
Output Characteristics
Transconductance
Collector-Emitter On Voltagevs Collector
Current
Transfer Characteristics
Collector-Emitter On Voltagevs Temperature
CapacitanceVariations
STGB10N60L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB10NB40LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB10NB40LZT4 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH⑩ IGBT
STGB3NB60K N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD3NB60KT4 N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STGB10NB37LZ_01 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMesh TM IGBT
STGB10NB37LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB10NB40LZ 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB10NB40LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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