參數(shù)資料
型號(hào)： STGB10N60L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 10A-600V- D2PAK Logic Level IGBT(N溝道邏輯電平絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： N溝道10A條- 600V的D2PAK封裝邏輯電平IGBT的（不適用溝道邏輯電平絕緣柵雙極晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： STGB10N60L
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Max
Max
Typ
1
62.5
0.1
o
C/W
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= - 40 to 150
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
BR(ces)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
I
C
= 250
μ
A
V
GE
= 0
600
V
I
CES
V
CE
= Max Rating
V
CE
= Max Rating
V
GE
=
±
15 V
T
j
=
T
j
= 125
o
C
25
o
C
25
100
±
100
μ
A
μ
A
nA
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
V
CE
= 0
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GE(th)
Gate Threshold
Voltage
V
CE
= V
GE
V
CE
= V
GE
V
GE
= 4.5 V
V
GE
= 4.5 V
V
GE
= 4.5 V
V
GE
= 4.5 V
I
C
= 250
μ
A
I
C
= 250
μ
A T
j
= 25
o
C
I
C
= 8 A
I
C
= 9.5 A T
j
=
I
C
= 8 A
0.6
1.0
2.4
2.0
V
V
V
CE(SAT)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
T
j
= - 40
o
C
25
o
C
T
j
= 150
o
C
V
CE
= 7 V
1.5
1.4
1.25
2.0
V
V
V
I
C
Collector Current
15
45
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Gate Charge
V
CE
=25 V
I
C
= 8 A
T
j
=
25
o
C
7
12
S
C
ies
C
oes
C
res
V
CE
= 25 V
f = 1 MHz
V
GE
= 0
1800
120
19
2600
165
26
pF
pF
pF
Q
G
V
CE
= 400 V
I
C
= 8 A
V
GE
= 5 V
30
nC
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CL
Latching Current
V
clamp
= 480 V
T
j
= 125
o
C
T
start
= 55
o
C
I
C
= 10 A
dV/dt = 200 V/
μ
s
20
A
E
CF
Forward Clamping
Energy
V
clamp
= 480 V
L = 4.2 mH - Single Pulse
210
mJ
E
AR
Reverse Avalanche
Energy
10
mJ
STGB10N60L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB10NB40LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB10NB40LZT4 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH⑩ IGBT
STGB3NB60K N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD3NB60KT4 N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB10NB37LZ 功能描述:IGBT 晶體管 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB10NB37LZ_01 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMesh TM IGBT
STGB10NB37LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB10NB40LZ 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB10NB40LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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