參數(shù)資料
型號: ST10F296TR
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 微控制器/微處理器
英文描述: 16-BIT, FLASH, 64 MHz, MICROCONTROLLER, PBGA208
封裝: 23 X 23 MM, 1.96 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, BGA-208
文件頁數(shù): 163/346頁
文件大?。?/td> 5607K
代理商: ST10F296TR
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ST10F296E
Power reduction modes
The ST10F296E core module, which generates the RAM control signals, is powered by the
internal V18 supply. During turning off transient phase these control signals follow the V18,
while RAM is switched to V18SB internal reference. A high level of RAM write strobe from the
ST10F296E core (active low signal), may be low enough to be recognized as a logic 0 by
the RAM interface (due to V18 being lower than V18SB). The bus status may contain a valid
address for the RAM and an unwanted data corruption may occur. For this reason, an extra
interface, powered by the switched supply, is used to prevent the RAM from such potential
corruption mechanisms.
Warning:
During power-off phase, the external hardware must maintain
a stable ground level on the RSTIN pin, with no glitches, to
avoid spurious exits from reset status due to an unstable
power supply.
21.3.2
Exiting standby mode
The procedure to exit standby mode consists of a standard power-on sequence where the
RAM is powered through the V18SB internal reference (derived from the VSTBY pin external
voltage).
It is recommended to hold the device under reset (RSTIN pin forced low) until the external
VDD voltage pin is stable. At the beginning of the power-on phase, the device is maintained
under reset by the internal low voltage detector circuit (implemented inside the main voltage
regulator) until the internal V18 becomes higher than about 1.0 V. Despite this, there is no
warranty that the device stays under reset status if RSTIN is at high level during
power ramp up.
It is imperative that the external hardware guarantees a stable ground level on the
RSTIN pin along the power-on phase, without any temporary glitches.
The external hardware is responsible for driving the RSTIN pin low until the VDD is stable,
even though the internal LVD is active. An additional time period of at least 1 ms is also
requested to allow the internal voltage regulator to stabilize before releasing the RSTIN pin.
This is necessary because the internal Flash has to begin its initialization phase (which
starts when the RSTIN pin is released) with a stable V18.
Once the internal reset signal goes low, the power supply of the RAM (which is still frozen) is
switched to the main V18.
At this point, all voltages are stable, and the execution of the initialization routines can start.
The XRAM2EN bit can be set and the RAM can be enabled.
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PDF描述
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