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參數(shù)資料
| 型號： | SPC5200CVR400 |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 13/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MPU 32BIT 400MHZ 272-PBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 40 |
| 系列： | MPC52xx |
| 處理器類型： | 32-位 MPC52xx PowerPC |
| 速度： | 400MHz |
| 電壓： | 1.5V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 272-BBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 272-PBGA（27x27） |
| 包裝： | 托盤 |
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MPC5200 Data Sheet, Rev. 4
Electrical and Thermal Characteristics
Freescale Semiconductor
20
3.3.5
SDRAM
3.3.5.1
Memory Interface Timing-Standard SDRAM Read Command
Figure 5. Timing Diagram—Standard SDRAM Memory Read Timing
3.3.5.2
Memory Interface Timing-Standard SDRAM Write Command
In Standard SDRAM, all signals are activated on the Mem_clk from the Memory Controller and captured
on the Mem_clk clock at the memory device.
Table 18. Standard SDRAM Memory Read Timing
Sym
Description
Min
Max
Units
SpecID
tmem_clk MEM_CLK period
7.5
—
ns
A5.1
tvalid
Control Signals, Address and MBA Valid after
rising edge of MEM_CLK
—tmem_clk*0.5+0.4
ns
A5.2
thold
Control Signals, Address and MBA Hold after
rising edge of MEM_CLK
tmem_clk*0.5
—
ns
A5.3
DMvalid
DQM valid after rising edge of MEM_CLK
—
tmem_clk*0.25+0.4
ns
A5.4
DMhold
DQM hold after rising edge of MEM_CLK
tmem_clk*0.25-0.7
—
ns
A5.5
datasetup MDQ setup to rising edge of MEM_CLK
—
0.3
ns
A5.6
datahold MDQ hold after rising edge of MEM_CLK
0.2
—
ns
A5.7
MEM_CLK
Control Signals
MDQ (Data)
MA (Address)
NOTE: Control Signals are composed of RAS, CAS, MEM_WE, MEM_CS, MEM_CS1 and CLK_EN
Active
NOP
READ
NOP
thold
Row
Column
MBA (Bank Selects)
tvalid
thold
tvalid
thold
tvalid
DQM (Data Mask)
DMvalid
DMhold
NOP
datahold
datasetup
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| SPC5200CVR400R2 | 功能描述:IC MPU 32BIT 400MHZ 272-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微處理器 系列:MPC52xx 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2 系列:MPC8xx 處理器類型:32-位 MPC8xx PowerQUICC 特點:- 速度:133MHz 電壓:3.3V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:357-BBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:357-PBGA（25x25） 包裝:托盤 |
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