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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | skb04n60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT) |
| 中文描述： | 快速的S - IGBT的不擴(kuò)散核武器條約與軟，恢復(fù)快反平行快恢復(fù)二極管（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT技術(shù)） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 274K |
| 代理商： | SKB04N60 |
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SKP04N60
SKB04N60
4
Mar-00
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
10A
20A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0.01A
0.1A
1A
10A
DC
1ms
200
μ
s
50
μ
s
15
μ
s
t
p
=2
μ
s
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 67
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0W
10W
20W
30W
40W
50W
60W
I
C
,
C
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0A
2A
4A
6A
8A
10A
12A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function
of case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| SKB06N60ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 6A 68W TO263-3-2 |
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