| 型號: | SKW10N60 |
| 廠商: | SIEMENS AG |
| 英文描述: | Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術中的快速 S-IGBT) |
| 中文描述: | 快速的S - IGBT的不擴散核武器條約與軟,恢復快反平行快恢復二極管(不擴散技術中的快速第S - IGBT技術) |
| 文件頁數(shù): | 1/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 296K |
| 代理商: | SKW10N60 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| skb15n60 | Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術中的快速 S-IGBT) |
| SKP15N60 | Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術中的快速 S-IGBT) |
| SKW15N60 | Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術中的快速 S-IGBT) |
| skw20n60 | Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術中的快速 S-IGBT) |
| skw30n60 | Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術中的快速 S-IGBT) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SKW10N60A | 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SK-W11-21C-1/2 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:SK-W11-21C-1/2 - Bulk |
| SK-W11-21C-3/4 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:SK-W11-21C-3/4 - Bulk |
| SK-W11-21C-5/8 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:SK-W11-21C-5/8 - Bulk |
| SK-W11-22C-1/2 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:SK-W11-22C-1/2 - Bulk |