參數(shù)資料
型號： Si571
廠商： Silicon Laboratories Inc.
英文描述： ANY-RATE I2C PROGRAMMABLE XO/VCXO
中文描述： 任意頻率I2C可編程振蕩器/壓控
文件頁數(shù)： 8/26頁
文件大?。?/td> 295K
代理商： SI571
Si570/Si571
8
Rev. 0.3
Table 6. CLK± Output Phase Jitter (Si571)
Parameter
Symbol
φ
J
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
Phase Jitter (RMS)
1,2,3
for F
OUT
> 500 MHz
Kv = 33 ppm/V
12 kHz to 20 MHz (OC-48)
50 kHz to 80 MHz (OC-192)
—
—
0.26
0.26
—
—
ps
Kv = 45 ppm/V
12 kHz to 20 MHz (OC-48)
50 kHz to 80 MHz (OC-192)
—
—
0.27
0.26
—
—
Kv = 90 ppm/V
12 kHz to 20 MHz (OC-48)
50 kHz to 80 MHz (OC-192)
—
—
0.32
0.26
—
—
Kv = 135 ppm/V
12 kHz to 20 MHz (OC-48)
50 kHz to 80 MHz (OC-192)
—
—
0.40
0.27
—
—
Kv = 180 ppm/V
12 kHz to 20 MHz (OC-48)
50 kHz to 80 MHz (OC-192)
—
—
0.49
0.28
—
—
Kv = 356 ppm/V
12 kHz to 20 MHz (OC-48)
50 kHz to 80 MHz (OC-192)
—
—
0.87
0.33
—
—
Notes:
1.
Differential Modes: LVPECL/LVDS/CML. Refer to AN255, AN256, and AN266 for further information.
2.
For best jitter and phase noise performance, always choose the smallest K
V
that meets the application’s minimum APR
requirements. See “AN266: VCXO Tuning Slope (K
V
), Stability, and Absolute Pull Range (APR)” for more information.
3.
See “AN255: Replacing 622 MHz VCSO devices with the Si550 VCXO” for comparison highlighting power supply
rejection (PSR) advantage of Si55x versus SAW-based solutions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5853DC Single P-Ch MOSFET; with integrated Schottky;
SI5853DC-T1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5855DC Single P-Ch MOSFET; with integrated low-VF Schottky;
SI5855DC-T1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5905DC Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI571AJC000337DG 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SLLSI571AJC000337DG OSC VCXO 155.52MHZ L
SI57X-EVB 功能描述:時鐘和定時器開發(fā)工具 Si570/Si571 Eval Board RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:Evaluation Modules 類型:Clock Conditioners 工具用于評估:LMK04100B 頻率:122.8 MHz 工作電源電壓:3.3 V
SI5853CDC-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.0A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5853DC 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5853DC-T1 功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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