參數(shù)資料
型號(hào)： Si571
廠商： Silicon Laboratories Inc.
英文描述： ANY-RATE I2C PROGRAMMABLE XO/VCXO
中文描述： 任意頻率I2C可編程振蕩器/壓控
文件頁(yè)數(shù)： 6/26頁(yè)
文件大?。?/td> 295K
代理商： SI571
Si570/Si571
6
Rev. 0.3
Table 3. CLK± Output Frequency Characteristics
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
Programmable Frequency
Range
1,2,3
f
O
LVPECL/LVDS/CML
10
—
945
MHz
CMOS
10
—
160
Temperature Stability
1,4
T
A
= –40 to +85 oC
–20
–50
–100
—
—
—
+20
+50
+100
ppm
Aging
f
a
Frequency drift over first year
—
—
±3
ppm
Frequency drift over 15 year life
—
—
±10
ppm
Total Stability
Temp stability = ±20 ppm
—
—
±31.5
ppm
Temp stability = ±50 ppm
—
—
±61.5
ppm
Absolute Pull Range
1,4
APR
±25
—
±375
ppm
Power up Time
5
t
OSC
—
—
10
ms
Settling Time after Frequency
Change
t
FRQ
f
1
within ±100 ppm of f
0
—
—
100
μs
f
1
> ±100 ppm of f
0
—
—
10
ms
Notes:
1.
See Section "7. Ordering Information" on page 21 for further details.
2.
Specified at time of order by part number. Also available in frequencies from 970 to 1134 MHz and 1213 to 1417 MHz.
3.
Nominal output frequency set by V
CNOM
= 1/2 x V
DD
.
4.
Selectable parameter specified by part number.
5.
Time from power up or tristate mode to f
O
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5853DC Single P-Ch MOSFET; with integrated Schottky;
SI5853DC-T1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5855DC Single P-Ch MOSFET; with integrated low-VF Schottky;
SI5855DC-T1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5905DC Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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