參數(shù)資料
型號(hào)： Si571
廠商： Silicon Laboratories Inc.
英文描述： ANY-RATE I2C PROGRAMMABLE XO/VCXO
中文描述： 任意頻率I2C可編程振蕩器/壓控
文件頁數(shù)： 7/26頁
文件大小： 295K
代理商： SI571
Si570/Si571
Rev. 0.3
7
Table 4. CLK± Output Levels and Symmetry
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
LVPECL Output Option
1
V
O
V
OD
V
SE
V
O
mid-level
V
DD
– 1.42
1.1
—
V
DD
– 1.25
1.9
V
swing (diff)
—
V
PP
V
PP
swing (single-ended)
0.55
—
0.95
LVDS Output Option
2
mid-level
1.125
1.20
1.275
V
V
OD
swing (diff)
0.5
0.7
0.9
V
PP
CML Output Option
2
V
O
mid-level
—
V
DD
– 0.75
0.95
—
V
V
OD
swing
(diff)
0.70
1.20
V
PP
CMOS Output Option
3
V
OH
I
OH
= 32 mA
I
OL
= 32 mA
LVPECL/LVDS/CML
0.8 x V
DD
—
V
DD
V
V
OL
—
—
0.4
Rise/Fall time (20/80%)
t
R,
t
F
—
—
350
ps
CMOS with C
L
= 15 pF
LVPECL:
V
DD
– 1.3 V (diff)
LVDS:
1.25 V (diff)
CMOS:
V
DD
/2
—
1
—
ns
Symmetry (duty cycle)
SYM
45
—
55
%
Notes:
1.
50
Ω
to V
DD
– 2.0 V.
2.
R
term
= 100
Ω
(differential).
3.
C
L
= 15 pF
Table 5. CLK± Output Phase Jitter (Si570)
Parameter
Symbol
φ
J
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
Phase Jitter (RMS)*
for F
OUT
> 500 MHz
12 kHz to 20 MHz (OC-48)
—
0.25
0.40
ps
50 kHz to 80 MHz (OC-192)
—
0.26
0.37
Phase Jitter (RMS)*
for F
OUT
of 125 to 500 MHz
φ
J
12 kHz to 20 MHz (OC-48)
—
0.36
0.50
ps
50 kHz to 20 MHz (OC-192)
—
0.34
0.42
*Note:
Differential Modes: LVPECL/LVDS/CML. Refer to AN256 for further information.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5853DC Single P-Ch MOSFET; with integrated Schottky;
SI5853DC-T1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5855DC Single P-Ch MOSFET; with integrated low-VF Schottky;
SI5855DC-T1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5905DC Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI571AJC000337DG 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SLLSI571AJC000337DG OSC VCXO 155.52MHZ L
SI57X-EVB 功能描述:時(shí)鐘和定時(shí)器開發(fā)工具 Si570/Si571 Eval Board RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:Evaluation Modules 類型:Clock Conditioners 工具用于評(píng)估:LMK04100B 頻率:122.8 MHz 工作電源電壓:3.3 V
SI5853CDC-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.0A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5853DC 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5853DC-T1 功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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