參數(shù)資料
型號： Si571
廠商： Silicon Laboratories Inc.
英文描述： ANY-RATE I2C PROGRAMMABLE XO/VCXO
中文描述： 任意頻率I2C可編程振蕩器/壓控
文件頁數(shù)： 18/26頁
文件大小： 295K
代理商： SI571
Si570/Si571
18
Rev. 0.3
Reset settings = 00xx xx00
Register 137. Freeze DCO
Bit
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
Name
Freeze DCO
Type
R/W
Bit
Name
Function
7:6
Reserved
5
Freeze DCO
Freeze DCO.
Freezes the DSPLL so the frequency configuration can be modified.
4:0
Reserved
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5853DC Single P-Ch MOSFET; with integrated Schottky;
SI5853DC-T1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5855DC Single P-Ch MOSFET; with integrated low-VF Schottky;
SI5855DC-T1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5905DC Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI571AJC000337DG 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SLLSI571AJC000337DG OSC VCXO 155.52MHZ L
SI57X-EVB 功能描述:時鐘和定時器開發(fā)工具 Si570/Si571 Eval Board RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:Evaluation Modules 類型:Clock Conditioners 工具用于評估:LMK04100B 頻率:122.8 MHz 工作電源電壓:3.3 V
SI5853CDC-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.0A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5853DC 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5853DC-T1 功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*