參數(shù)資料
型號(hào)： SGS6N60UFTU
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
中文描述： 6 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 562K
代理商： SGS6N60UFTU
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
SGS6N60UF Rev. A
S
G
S6N60UF
110
100
400
5
10
100
300
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
I
C = 3A
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
S
w
it
c
h
in
g
L
o
s
[u
J
]
Gate Resistance, R
G [ ]
110
100
400
10
100
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
I
C = 3A
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
Ton
Tr
S
w
it
c
h
in
g
T
im
e
[
n
s
]
Gate Resistance, R
G [ ]
1
10
100
400
50
100
600
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
I
C = 3A
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
S
w
it
c
h
in
g
T
im
e
[n
s
]
Gate Resistance, R
G [ ]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
12
34
56
50
100
500
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
R
G = 80
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
Sw
it
ch
in
g
T
im
e
[n
s]
Collector Current, I
C [A]
12
3456
10
100
200
Ton
Tr
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
R
G = 80
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
Sw
it
ch
in
g
T
im
e
[
n
s
]
Collector Current, I
C [A]
110
30
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE = 0V, f = 1MHz
T
C = 25
℃
C
a
p
a
c
ita
n
c
e
[pF
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW23N60UFDTM
SGW5N60RUFDTM
SH2 20 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH3 20 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH8K2TB 6 A, 30 V, 0.047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGSA125V0C9 制造商:Oslo Switch 功能描述:
SGSA125V1C9 制造商:Oslo Switch 功能描述:
SGSA125V2C9 制造商:OSLO SWITCH 功能描述: 制造商:Oslo Switch 功能描述:
SGSA125V3C9 制造商:Oslo Switch 功能描述:
SGSC34063 制造商:SECOS 制造商全稱(chēng):SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Universal DC To DC Converter
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