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參數(shù)資料
| 型號： | SGS10N60RUFTU |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 中文描述： | 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 597K |
| 代理商： | SGS10N60RUFTU |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
SGS10N60RUF Rev. A
S
G
S10N60RUF
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
h
erm
a
l
Resp
on
se,
Z
th
jc
[
℃
/W
]
Rectangular Pulse Duration [sec]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
010
20
30
0
3
6
9
12
15
V
CC = 100 V
200 V
300 V
Common Emitter
R
L = 30
T
C = 25
℃
Gat
e
-
Emi
tt
e
r
Vo
lt
a
g
e
,
V
GE
[V
]
Gate Charge, Q
g [ nC ]
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm
× Zthjc + T
C
1
10
100
1000
1
10
Safe Operating Area
V
GE
= 20V, T
C
= 100℃
50
C
o
llecto
rC
u
rre
n
t,
I
C
[A
]
Collector-Emitter Voltage, V
CE [V]
510
15
20
100
1000
Eon
Eoff
Common Emitter
V
GE =
± 15V, R
G = 20
T
C =
25℃ ━━
T
C = 125
℃ ------
Sw
it
c
h
in
g
Lo
ss
[
u
J]
Collector Current, I
C
[A]
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
Single Nonrepetitive
Pulse T
C = 25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
I
C MAX. (Continuous)
I
C MAX. (Pulsed)
DC Operation
1
100us
50us
Co
lle
c
to
rCu
rr
e
n
t,
I C
[A
]
Collector-Emitter Voltage, V
CE [V]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGS6N60UFTU | |
| SGW23N60UFDTM | |
| SGW5N60RUFDTM | |
| SH2 | 20 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SH3 | 20 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SGS13N60UF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
| SGS13N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
| SGS13N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/6.5A/w/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGS13N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/6.5A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGS150 | 制造商:Cooper Wiring Devices 功能描述: |
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