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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SGS10N60RUFTU |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 中文描述： | 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大小： | 597K |
| 代理商： | SGS10N60RUFTU |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
SGS10N60RUF Rev. A
S
G
S10N60RUF
Fig 1. Typical Output Chacracteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. VGE
Fig 6. Saturation Voltage vs. VGE
02
46
8
0
5
10
15
20
25
30
35
40
20V
12V
15V
V
GE = 10V
Common Emitter
T
C = 25
℃
C
o
llec
to
rC
u
rr
e
n
t,
I C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
110
0
5
10
15
20
25
30
Common Emitter
V
GE = 15V
T
C =
25℃ ━━
T
C = 125
℃ ------
Col
le
ct
or
Cu
rr
e
n
t,
I
C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
-50
0
50
100
150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
20A
10A
I
C = 5A
Common Emitter
V
GE = 15V
Col
le
ct
or
-
Em
it
te
rVol
tag
e,
V
CE
[V
]
Case Temperature, T
C [
℃]
0
4
8
121620
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C = 25
℃
20A
10A
I
C = 5A
Co
llec
to
r-
Em
it
te
rVol
ta
g
e
,
V CE
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
04
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C = 125
℃
20A
10A
I
C = 5A
Co
lle
cto
r-
Em
itte
rV
o
lt
age,
V
CE
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
C = 100
℃
Power Dissipation = 15W
V
CC
= 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [KHz]
Load
Cu
rren
t[A]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGS6N60UFTU | |
| SGW23N60UFDTM | |
| SGW5N60RUFDTM | |
| SH2 | 20 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SH3 | 20 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SGS13N60UF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
| SGS13N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
| SGS13N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/6.5A/w/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGS13N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/6.5A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGS150 | 制造商:Cooper Wiring Devices 功能描述: |
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