- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄192306 > S71GL128NC0BAWAZ0 (SPANSION LLC) SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S71GL128NC0BAWAZ0 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84 |
| 封裝： | 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 15/122頁 |
| 文件大?。?/td> | 1764K |
| 代理商： | S71GL128NC0BAWAZ0 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁當前第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁
November 2, 2004 pSRAM_Type07_13_A1
pSRAM Type 7
111
A d vance
i n for m ati o n
AC Characteristics
Power Down Parameters
Notes:
1. Applicable also to power-up.
2. Applicable when 4Mb and 8Mb Partial modes are programmed.
Other Timing Parameters
Notes:
1. Some data might be written into any address location if tCHWX(min) is not satisfied.
2. The Input Transition Time (tT) at AC testing is 5ns as shown in below. If actual tT is longer than 5ns, it can violate the AC
specification of some of the timing parameters.
Parameter
Symbol
16M
32M
64M
Unit
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
CE2 Low Setup Time for Power Down Entry
tCSP
10
—
10
—
10
—
ns
CE2 Low Hold Time after Power Down Entry
tC2LP
80
—
65
—
65
—
ns
CE1# High Hold Time following CE2 High after Power
Down Exit [SLEEP mode only]
tCHH
300
—
300
—
300
—
s
1
CE1# High Hold Time following CE2 High after Power
Down Exit [not in SLEEP mode]
tCHHP
N/A
1
—
1
—
s
2
CE1# High Setup Time following CE2 High after Power
Down Exit
tCHS
0
—
0
—
0
—
ns
1
Parameter
Symbol
16M
32M
64M
Unit
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
CE1# High to OE# Invalid Time for Standby Entry
tCHOX
10
—
10
—
10
—
ns
CE1# High to WE# Invalid Time for Standby Entry
tCHWX
10
—
10
—
10
—
ns
1
CE2 Low Hold Time after Power-up
tC2LH
50
—
50
—
50
—
s
CE1# High Hold Time following CE2 High after Power-up
tCHH
300
—
300
—
300
—
s
Input Transition Time
tT
1
25
1
25
1
25
ns
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71PL064JB0BFW0U0 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| S71PL129JC0BFW9Z2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129NC0HFW4U3 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA64 |
| S71PL191HB0BFI100 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| S71VS128RC0ZHK203 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71GL256NB0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-chip Product (MCP) |
| S71GL256NC0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-chip Product (MCP) |
| S71GL512NB0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-chip Product (MCP) |
| S71GL512NC0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-chip Product (MCP) |
| S71GL-N | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。