參數(shù)資料
型號(hào): S71GL128NC0BAWAZ0
廠商: SPANSION LLC
元件分類(lèi): 存儲(chǔ)器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
封裝: 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE COMPLIANT, FBGA-84
文件頁(yè)數(shù): 11/122頁(yè)
文件大?。?/td> 1764K
代理商: S71GL128NC0BAWAZ0
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108
pSRAM Type 7
pSRAM_Type07_13_A1 November 2, 2004
Advan ce
In form ati o n
DC Characteristics
(Under Recommended Conditions Unless Otherwise Noted)
Notes:
1. All voltages are referenced to VSS.
2. DC Characteristics are measured after following POWER-UP timing.
3. IOUT depends on the output load conditions.
Parameter
Symbol
Test Conditions
16M
32M
64M
Unit
Min. Max. Min. Max. Min. Max.
Input Leakage
Current
ILI
VIN = VSS to VDD
-1.0 +1.0 -1.0 +1.0 -1.0 +1.0
A
Output Leakage
Current
ILO
VOUT = VSS to VDD, Output Disable
-1.0 +1.0 -1.0 +1.0 -1.0 +1.0
A
Output High
Voltage Level
VOH
VDD = VDD(min), IOH = –0.5mA
2.2
2.4
2.4
V
Output Low
Voltage Level
VOL
IOL = 1mA
0.4
0.4
0.4
V
VDD Power
Down Current
IDDPS
VDD = VDD max.,
VIN = VIH or VIL,
CE2 ≤ 0.2 V
SLEEP
10
10
10
A
IDDP4
4M Partial
N/A
40
N/A
A
IDDP8
8M Partial
N/A
50
80
A
IDDP16
16M Partial
N/A
100
A
VDD Standby
Current
IDDS
VDD = VDD max.,
VIN = VIH or VIL
CE1 = CE2 = VIH
1
1.5
1.5
mA
IDDS1
VDD = VDD max.,
VIN ≤ 0.2V or VIN ≥ VDD – 0.2V,
CE1 = CE2 ≥ VDD – 0.2V
TA<
+85
°C
100
80
170
A
TA<
+40
°C
90
A
VDD
Active Current
IDDA1
VDD = VDD max.,
VIN = VIH or VIL,
CE1 = VIL and CE2= VIH,
IOUT=0mA
tRC / tWC = min. —
20
30
40
mA
IDDA2
tRC / tWC = 1s
3
3
5
mA
VDD Page
Read Current
IDDA3
VDD = VDD max., VIN = VIH or VIL,
CE1 = VIL and CE2= VIH,
IOUT=0mA, tPRC = min.
N/A
10
10
mA
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PDF描述
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