- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄192306 > S71GL128NC0BAWAZ0 (SPANSION LLC) SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S71GL128NC0BAWAZ0 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84 |
| 封裝： | 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 119/122頁 |
| 文件大?。?/td> | 1764K |
| 代理商： | S71GL128NC0BAWAZ0 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁當(dāng)前第119頁第120頁第121頁第122頁
96
S29GLxxxN MirrorBitTM Flash Family
S29GLxxxN_MCP_A1 December 15, 2004
Advan ce
In form ati o n
AC Characteristics
Erase and Program Operations–S29GL128N, S29GL256N, S29GL512N
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
3. For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
4. Effective write buffer specification is based upon a 16-word/32-byte write buffer operation.
5. Unless otherwise indicated, AC specifications for 90 ns, 100 ns, and 110 ns speed options are tested with VIO = VCC
= 3 V. AC specifications for 110 ns speed options are tested with VIO = 1.8 V and VCC = 3.0 V.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std.
Description
90
100
110
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
110
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tASO
Address Setup Time to OE# low during toggle
bit polling
Min
15
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
45
ns
tAHT
Address Hold Time From CE# or OE# high
during toggle bit polling
Min
0
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
45
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tCEPH CE# High during toggle bit polling
Min
20
tOEPH Output Enable High during toggle bit polling
Min
20
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min
35
ns
tWHDL
tWPH Write Pulse Width High
Min
30
ns
tWHWH1 tWHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes 2, 3)
Typ
240
s
Effective Write Buffer Program
Operation (Notes 2, 4)
Per Word
Typ
s
15
Accelerated Effective Write Buffer
Program Operation (Notes 2, 4)
Per Word
Typ
s
13.5
Program Operation (Note 2)
Word
Typ
s
60
Accelerated Programming
Operation (Note 2)
Word
Typ
s
54
tWHWH2 tWHWH2 Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec
tVHH VHH Rise and Fall Time (Note 1)
Min
250
ns
tVCS
VCC Setup Time (Note 1)
Min
50
s
tBUSY Erase/Program Valid to RY/BY# Delay
Min
90
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71PL064JB0BFW0U0 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| S71PL129JC0BFW9Z2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129NC0HFW4U3 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA64 |
| S71PL191HB0BFI100 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| S71VS128RC0ZHK203 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71GL256NB0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-chip Product (MCP) |
| S71GL256NC0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-chip Product (MCP) |
| S71GL512NB0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-chip Product (MCP) |
| S71GL512NC0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-chip Product (MCP) |
| S71GL-N | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。